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O3853QDCARQ1 发布时间 时间:2025/7/16 14:51:07 查看 阅读:6

O3853QDCARQ1是一款高性能的功率MOSFET晶体管,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。它采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统效率并减少功耗。

参数

器件类型:MOSFET
  最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:24A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:79nC
  总电容:2400pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

O3853QDCARQ1具备低导通电阻(Rds(on)),这可以有效降低传导损耗并提高整体效率。其快速的开关特性使其适合高频操作环境,同时内部设计增强了热性能,允许更高的功率密度。
  此外,该器件具有出色的雪崩能力,可确保在过载或短路条件下仍能安全运行。封装形式通常为TO-247或D2PAK,便于散热管理和PCB布局优化。
  O3853QDCARQ1还支持汽车级认证,适用于恶劣的工作环境,并通过了AEC-Q101标准测试。

应用

这款MOSFET广泛应用于直流-直流转换器、电机控制器、逆变器、不间断电源(UPS)以及电动车的电池管理系统(BMS)中。它的高效能表现也使其成为工业自动化设备的理想选择,例如伺服驱动器和机器人控制单元中的关键元件。

替代型号

O3853QDCAJRQ1
  O3853QDCBRQ1

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O3853QDCARQ1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,000 : ¥45.81529卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 应用-
  • 电流 - 供电-
  • 电压 - 供电-
  • 工作温度-
  • 安装类型-
  • 封装/外壳-
  • 供应商器件封装-