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NZH10C,115 发布时间 时间:2025/9/14 21:03:04 查看 阅读:11

NZH10C,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)制造的双向瞬态电压抑制二极管(TVS 二极管),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压和其他瞬态过电压事件的损害。该器件具有快速响应时间和高浪涌吸收能力,适用于多种高精度电子设备的保护应用。

参数

类型:TVS 二极管(瞬态电压抑制二极管)
  极性:双向
  工作电压:10 V
  测试电流:1 mA
  最大钳位电压:17.4 V
  最大峰值脉冲电流(IPP):10 A(8/20 μs 波形)
  最大反向漏电流:10 μA
  封装形式:SOD-323
  工作温度范围:-55°C 至 150°C

特性

NZH10C,115 具有出色的瞬态电压保护性能。其双向结构使其适用于正负极性电压保护。该 TVS 二极管的响应时间非常短,可以在纳秒级别内对瞬态过电压做出反应,从而有效保护下游电路。其最大钳位电压为 17.4 V,能够在瞬态事件中将电压限制在安全范围内,防止对敏感电子元件造成损坏。此外,该器件具有高达 10 A 的峰值脉冲电流承受能力,使其能够在高强度的瞬态事件中保持稳定运行。封装采用 SOD-323 标准,体积小巧,适合在空间受限的设计中使用,并具有良好的热稳定性和可靠性。该器件的漏电流极低,在正常工作条件下对电路影响极小。

应用

该器件广泛用于便携式电子产品、通信设备、计算机及外围设备、工业控制系统和汽车电子系统中,用于保护敏感电路免受 ESD 和其他瞬态电压的影响。典型应用包括 USB 端口、HDMI 接口、以太网端口、音频/视频输入输出接口的保护。

替代型号

PESD10S1BA,115; SMAJ10CA; SMLJ10CA; PESD5V0S1BA; ESDA8M1U

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NZH10C,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)10V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电200nA @ 7V
  • 容差*
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)8 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123F
  • 供应商设备封装SOD-123F
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C