时间：2025/9/14 19:52:56
阅读：11
NX7002BKXB是一款由Nexperia（安世半导体）生产的双N沟道增强型MOSFET芯片，广泛用于低电压和中等功率应用。该器件采用小型DFN1006-3封装，具备优异的热性能和电气性能，适合用于电源管理、负载开关、逻辑电路以及信号路由等场合。NX7002BKXB的高集成度和小尺寸使其成为便携式电子设备和高密度PCB设计的理想选择。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：200mA（每个通道）
功耗（Ptot）：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：DFN1006-3（1.0 x 0.6 mm）
NX7002BKXB具有多个显著的技术特性，首先是其低导通电阻（RDS(on)），在VGS=4.5V时，RDS(on)通常低于5.5Ω，这有助于降低导通损耗并提高能效。其次，该MOSFET的栅极电荷（Qg）非常低，确保在高频开关应用中保持较低的驱动损耗和快速响应能力。此外，NX7002BKXB采用先进的Trench MOSFET技术，提供优异的热稳定性和更高的电流处理能力。由于其双通道设计，该器件可在同一封装内实现两个独立的开关功能，从而节省PCB空间并简化电路设计。最后，NX7002BKXB的封装符合RoHS标准，且具备良好的热管理性能，适用于无铅焊接工艺。
NX7002BKXB广泛应用于多个领域，包括便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的电源管理和负载开关控制；在通信设备中，用于信号路由和接口保护；在工业控制系统中，用于小型继电器驱动和逻辑电平转换；此外，它也常用于电池供电设备中的节能开关电路，以及作为小型DC-DC转换器中的同步整流元件。
NX7002BKW, 2N7002K, BSS138
