NX7002BKMYL 是由NXP(恩智浦)公司生产的一款双N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用小型DFN(Dual Flat No-lead)封装,适用于高密度电子设备。该器件在功率管理、信号切换和逻辑电路中表现优异,具有较高的可靠性和稳定性。
类型:双N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):最大20V
栅源电压(VGS):±12V
连续漏极电流(ID):每个通道最大300mA
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:DFN1006-6(超小型无引脚封装)
NX7002BKMYL 是一款高集成度的双N沟道MOSFET,其DFN封装形式使其在空间受限的应用中非常受欢迎。该器件具备低导通电阻(RDS(on)),有助于降低功率损耗并提高效率。此外,NX7002BKMYL 的栅极驱动电压范围较宽,允许其在多种控制电路中使用。该器件的热稳定性较好,能够在高温环境下保持稳定工作。
该MOSFET还具备快速开关特性,适用于高频应用,例如DC-DC转换器、负载开关和逻辑电平转换器。其双通道设计允许在单个封装中实现两个独立的MOSFET操作,节省了PCB空间并简化了设计。此外,NX7002BKMYL 具有良好的静电放电(ESD)保护能力,能够承受一定程度的静电冲击,从而提高系统的可靠性。
NX7002BKMYL 广泛应用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,在这些设备中用于电源管理、信号切换和逻辑控制。此外,它还适用于低功耗传感器电路、LED驱动器、微控制器外围接口以及各种低电压开关应用。在汽车电子系统中,NX7002BKMYL 也可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和小型电机驱动器。
NX7002BQMYL,NX7002CLMYL