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NX7002BKMYL 发布时间 时间:2025/9/14 20:59:19 查看 阅读:18

NX7002BKMYL 是由NXP(恩智浦)公司生产的一款双N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用小型DFN(Dual Flat No-lead)封装,适用于高密度电子设备。该器件在功率管理、信号切换和逻辑电路中表现优异,具有较高的可靠性和稳定性。

参数

类型:双N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):最大20V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):每个通道最大300mA
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:DFN1006-6(超小型无引脚封装)

特性

NX7002BKMYL 是一款高集成度的双N沟道MOSFET,其DFN封装形式使其在空间受限的应用中非常受欢迎。该器件具备低导通电阻(RDS(on)),有助于降低功率损耗并提高效率。此外,NX7002BKMYL 的栅极驱动电压范围较宽,允许其在多种控制电路中使用。该器件的热稳定性较好,能够在高温环境下保持稳定工作。
  该MOSFET还具备快速开关特性,适用于高频应用,例如DC-DC转换器、负载开关和逻辑电平转换器。其双通道设计允许在单个封装中实现两个独立的MOSFET操作,节省了PCB空间并简化了设计。此外,NX7002BKMYL 具有良好的静电放电(ESD)保护能力,能够承受一定程度的静电冲击,从而提高系统的可靠性。

应用

NX7002BKMYL 广泛应用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,在这些设备中用于电源管理、信号切换和逻辑控制。此外,它还适用于低功耗传感器电路、LED驱动器、微控制器外围接口以及各种低电压开关应用。在汽车电子系统中,NX7002BKMYL 也可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和小型电机驱动器。

替代型号

NX7002BQMYL,NX7002CLMYL

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NX7002BKMYL参数

  • 现有数量93,968现货
  • 价格1 : ¥2.23000剪切带(CT)10,000 : ¥0.28864卷带(TR)
  • 系列TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)350mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.8 欧姆 @ 200mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)23.6 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)350mW(Ta),3.1W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-883
  • 封装/外壳SC-101,SOT-883