NX7002BKMBYL 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 Trench MOS 工艺制造,适用于中低功率的开关应用。该器件采用 SOT-223 封装形式,具有较低的导通电阻和良好的热稳定性,适合用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器等应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):100mA(@25℃)
功耗(Pd):300mW
导通电阻(Rds(on)):最大 5Ω(@Vgs=10V)
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:SOT-223
NX7002BKMBYL 采用先进的 Trench MOS 技术,使其在小型封装中实现较低的导通电阻和较高的开关性能。其低 Rds(on) 特性有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具备良好的热稳定性,能够在较高温度下稳定工作,提升了系统的可靠性和寿命。
该 MOSFET 具备快速开关能力,适用于需要高频操作的电路设计,如 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理系统。其 SOT-223 封装提供了良好的散热性能,同时便于在 PCB 上进行表面贴装,适用于自动化生产流程。
NX7002BKMBYL 的栅极驱动电压范围较宽(最高可达 10V),可兼容多种驱动电路,增强了设计的灵活性。此外,该器件的栅极绝缘层具有较强的耐压能力,提高了抗静电能力和使用安全性。
NX7002BKMBYL 广泛应用于各类电子设备中,特别是在需要低功耗和高稳定性的场合。常见应用包括电源管理电路中的负载开关、DC-DC 转换器中的同步整流器、电池供电设备的电源控制、LED 驱动电路以及工业控制系统的信号切换。
在消费类电子产品中,NX7002BKMBYL 可用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理模块,以实现对不同功能模块的独立供电控制,延长电池续航时间。在工业设备中,它可用于传感器信号控制、小型电机驱动以及远程通信模块的电源管理。
此外,该器件也适用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、车载充电器和车身控制模块等,满足汽车应用中对高可靠性和宽工作温度范围的要求。
2N7002, BSS138, FDV301N, 2N7002K