时间：2025/9/15 0:25:33
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NX7002BKMB是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型MOSFET，采用SOT-23（SC-59）小型封装，适用于广泛的开关和放大应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，非常适合用于便携式设备、电源管理和信号切换等场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：20V
最大栅源电压（Vgs）：±12V
最大连续漏极电流（Id）：100mA（在Vds > Vgs(th)时）
导通电阻（Rds(on)）：约3.5Ω（在Vgs=4.5V时）
阈值电压（Vgs(th)）：0.65V ~ 1.5V
功率耗散（Ptot）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23（SC-59）
NX7002BKMB具备一系列优异的电气和物理特性，使其在低功耗和高稳定性要求的应用中表现出色。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高能效。该器件的栅极驱动电压范围较宽，在2.5V至10V之间均可正常工作，适合多种控制电路的兼容性需求。此外，NX7002BKMB的封装尺寸小巧，便于在高密度PCB设计中使用，同时具备良好的散热性能，确保在较高工作温度下仍能稳定运行。该MOSFET还具有较高的耐用性和可靠性，适用于长期运行和频繁开关的场合。
NX7002BKMB广泛应用于便携式电子产品中的负载开关、电源管理模块、逻辑电路中的信号控制、LED驱动电路、电池供电设备以及各类低电压开关系统。其小尺寸和高性能特性也使其成为工业控制、通信设备和消费类电子产品中的理想选择。
2N7002, 2N38194, PMV4830, BSS138
