NX7002AKW,115 是由 Nexperia(原安森美半导体的一部分)生产的一款双N沟道增强型MOSFET,采用TSSOP封装,适用于需要高速开关和低导通电阻的应用场景。该器件因其高性能和小尺寸封装而广泛应用于便携式设备、电源管理和信号切换电路中。
类型:MOSFET(N沟道)
通道数:2
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):110mA
导通电阻(Rds(on)):3.5Ω @ Vgs=4.5V
导通电阻(Rds(on)):4.5Ω @ Vgs=2.5V
功率耗散:300mW
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:TSSOP
NX7002AKW,115具有低导通电阻和快速开关特性,使其在低功耗和高效能要求的应用中表现出色。其双N沟道MOSFET设计可用于双向信号切换或作为负载开关,适用于电池供电设备和低电压控制系统。
该器件的栅极驱动电压范围宽,支持从2.5V到4.5V的逻辑电平驱动,兼容多种微控制器和数字电路。此外,NX7002AKW,115的封装设计紧凑,有助于节省PCB空间,适合高密度电路布局。
其高可靠性和热稳定性使其在恶劣工作条件下仍能保持稳定性能。该MOSFET的封装材料符合RoHS标准,并支持无铅焊接工艺,符合现代电子制造的环保要求。
NX7002AKW,115广泛应用于便携式电子产品、电源管理系统、信号路由、电池保护电路、LED驱动控制、逻辑电平转换以及各种低电压开关电路中。其双MOSFET结构也使其适用于H桥驱动和双向电流控制应用。
NX7002APW,118; 2N7002K,215; BSS138