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NX7002AKW,115 发布时间 时间:2025/9/14 23:40:23 查看 阅读:4

NX7002AKW,115 是由 Nexperia(原安森美半导体的一部分)生产的一款双N沟道增强型MOSFET,采用TSSOP封装,适用于需要高速开关和低导通电阻的应用场景。该器件因其高性能和小尺寸封装而广泛应用于便携式设备、电源管理和信号切换电路中。

参数

类型:MOSFET(N沟道)
  通道数:2
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):110mA
  导通电阻(Rds(on)):3.5Ω @ Vgs=4.5V
  导通电阻(Rds(on)):4.5Ω @ Vgs=2.5V
  功率耗散:300mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TSSOP

特性

NX7002AKW,115具有低导通电阻和快速开关特性,使其在低功耗和高效能要求的应用中表现出色。其双N沟道MOSFET设计可用于双向信号切换或作为负载开关,适用于电池供电设备和低电压控制系统。
  该器件的栅极驱动电压范围宽,支持从2.5V到4.5V的逻辑电平驱动,兼容多种微控制器和数字电路。此外,NX7002AKW,115的封装设计紧凑,有助于节省PCB空间,适合高密度电路布局。
  其高可靠性和热稳定性使其在恶劣工作条件下仍能保持稳定性能。该MOSFET的封装材料符合RoHS标准,并支持无铅焊接工艺,符合现代电子制造的环保要求。

应用

NX7002AKW,115广泛应用于便携式电子产品、电源管理系统、信号路由、电池保护电路、LED驱动控制、逻辑电平转换以及各种低电压开关电路中。其双MOSFET结构也使其适用于H桥驱动和双向电流控制应用。

替代型号

NX7002APW,118; 2N7002K,215; BSS138

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NX7002AKW,115参数

  • 现有数量119,338现货
  • 价格1 : ¥1.75000剪切带(CT)3,000 : ¥0.31293卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)170mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.5 欧姆 @ 100mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)0.43 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)17 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)220mW(Ta),1.06W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-323
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323