NX3008PBKT 时间：2025/9/15 0:56:40 阅读：44

NX3008PBKT是一款由Nexperia（安世半导体）生产的双N沟道增强型功率MOSFET芯片，采用Trench MOSFET技术，适用于高效率功率管理应用。该器件采用8引脚DFN封装，具有较小的导通电阻和优异的热性能，适合用于负载开关、电源管理和DC-DC转换器等应用场景。

参数

类型：功率MOSFET
　　沟道类型：双N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大连续漏极电流(Id)：1.8A（@Vgs=10V）
　　导通电阻(Rds(on))：最大0.15Ω（@Vgs=10V）
　　栅极电荷(Qg)：9.5nC
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：8-DFN

特性

NX3008PBKT采用了Nexperia先进的Trench MOSFET工艺，具有低导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。
　　该器件的双N沟道结构使其能够在高频率下工作，适用于各种功率转换应用，如同步整流、DC-DC降压/升压变换器以及负载开关等。
　　其DFN封装具有良好的热性能，能够有效散热，提升器件在高负载条件下的稳定性与可靠性。
　　此外，NX3008PBKT具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗并提高开关速度，从而提升整体能效。
　　该器件还具备良好的抗静电（ESD）能力和过热保护特性，适用于工业级和汽车电子应用环境。

应用

NX3008PBKT广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及汽车电子模块等场景。
　　例如，在电源管理系统中，该器件可用于高效能的同步整流电路，提升能量转换效率；在负载开关应用中，其低导通电阻可有效降低压降，提高系统稳定性；在汽车电子中，NX3008PBKT的高可靠性和宽温度范围特性使其成为车载电源管理模块的理想选择。