时间：2025/9/14 14:26:13
阅读：7
NX3008NBKMB,315是一款由Nexperia（安世半导体）推出的双N沟道增强型MOSFET。该器件设计用于需要高效、低功耗开关应用的场景，广泛应用于电源管理、电池供电设备、负载开关以及各类便携式电子产品中。其封装形式为TSSOP，体积小巧，适合高密度PCB布局。
类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
通道类型：双N沟道
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±8V
连续漏极电流（Id）：800mA（每个通道）
导通电阻（Rds(on)）：350mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSSOP
NX3008NBKMB,315采用了先进的Trench MOSFET技术，具有优异的导通性能和低开关损耗。其双N沟道结构设计允许在同一封装内实现两个独立的MOSFET开关，非常适合需要多个开关通道的应用场景。该器件的低导通电阻特性有助于降低工作时的功率损耗，提高系统效率。
此外，NX3008NBKMB,315具备良好的热稳定性和过温保护能力，能够在高温环境下稳定工作。其±8V的栅极电压耐受能力使其适用于多种驱动电路设计，同时具备较强的抗干扰能力。
由于其TSSOP封装设计，NX3008NBKMB,315在PCB布局中占用空间小，适合高密度电子设备的设计需求。该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅工艺制造。
NX3008NBKMB,315广泛应用于各种电子设备中，尤其是在需要高效、低功耗开关控制的场景中。常见应用包括电源管理模块、电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关控制、LED驱动电路、便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）等。
由于其双通道设计和低导通电阻特性，NX3008NBKMB,315也常用于电机驱动、传感器控制和工业自动化系统中的开关控制电路。
Si2302DS, DMN6024LVT-7, BSS138K, 2N7002K
