NX3008NBK 时间：2025/8/2 8:58:00 阅读：35

NX3008NBK是一款由Nexperia（安世半导体）制造的双N沟道增强型MOSFET。该器件采用DFN1006-3封装形式，具有小型化和高集成度的特点，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：最大100mA（在VGS=5V时）
　　漏极-源极电压（VDS）：最大30V
　　栅极-源极电压（VGS）：最大±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为4.2Ω（在VGS=2.5V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：DFN1006-3

特性

NX3008NBK具有出色的热稳定性和低导通电阻特性，使其在低功耗应用中表现出色。该器件采用了先进的Trench MOSFET技术，提供更高的效率和更低的开关损耗。
　　DFN1006-3封装形式使其适用于空间受限的设计，如便携式电子设备和传感器模块。NX3008NBK还具有良好的抗静电能力，增强了器件在严苛环境下的可靠性。
　　此外，NX3008NBK的双N沟道结构允许其在高频率下运行，非常适合用于DC-DC转换器、负载开关和信号切换应用。该器件符合RoHS标准，适用于无铅焊接工艺。

应用

NX3008NBK广泛应用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理电路。它也常用于电池管理系统、低功耗传感器和小型电机控制电路中。
　　在汽车电子领域，NX3008NBK可用于车载娱乐系统、LED照明控制和车载充电器等应用。其高可靠性和小型化设计使其成为车载环境中理想的选择。
　　此外，NX3008NBK还适用于工业自动化设备、通信模块和消费类电子产品的开关控制电路。