时间：2025/9/14 16:18:34
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NX3008CBKV,115 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款双N沟道增强型MOSFET芯片，封装为TSOP（也称为TSSOP）形式，适用于高密度、低电压应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供优异的导通电阻（RDS(on)）性能和开关特性，适用于负载开关、电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统和电机控制等应用场景。
类型：双N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
漏极电流(ID)：8A
导通电阻(RDS(on))：15mΩ @ VGS=10V, 8A
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSOP/TSSOP-8
功率耗散(PD)：3.1W
NX3008CBKV,115 是一款高性能的双N沟道MOSFET，其核心特性包括低导通电阻、出色的热稳定性和高频开关能力。该器件采用了Nexperia的先进Trench MOSFET技术，使得其在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高了整体系统的效率。其15mΩ的RDS(on)在10V栅极驱动电压下可支持高达8A的漏极电流，适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET具备良好的热阻性能，能够在较高温度环境下稳定运行，增强了系统的可靠性和耐用性。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间，适合用于紧凑型电子产品设计，如智能手机、可穿戴设备和便携式电源设备。器件的栅极驱动电压范围宽达±20V，使其在不同应用场景中具备良好的兼容性和灵活性。NX3008CBKV,115 还具备快速开关能力，适用于需要高频工作的电源转换系统，如同步整流器和DC-DC降压/升压转换器。
此外，该器件符合RoHS环保标准，且在制造过程中采用无卤素材料，符合现代电子产品对环保性能的要求。其设计在过载和短路条件下具有良好的耐受能力，适合用于负载开关和电机控制应用，如风扇、泵和小型马达等。NX3008CBKV,115 也适用于电池管理系统中的保护电路，如过流保护、反向电流阻断和充放电控制。该器件的高性能和高可靠性使其成为工业控制、消费电子和汽车电子领域中的理想选择。
NX3008CBKV,115 的主要应用包括但不限于：电源管理模块、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机控制、小型风扇和泵驱动电路、智能手机和可穿戴设备的电源控制、便携式电子设备中的充放电管理以及工业自动化控制系统。该MOSFET的高频开关能力使其特别适用于需要高效率和低功耗的电源转换系统，如USB PD充电器、无线充电模块和高效能LED驱动电路。其低RDS(on)特性有助于减少系统发热，提升整体能效。同时，该器件在过流和短路条件下表现出良好的稳定性，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。
Si3442DV, NDS351AN, AO3400A, FDS6675, BSS138K
