NVTR4502P是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、开关模式电源(SMPS)、电机驱动和负载开关等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能,适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
其封装形式为TO-263(D2PAK),这种封装能够提供良好的散热性能和电气连接能力,便于在印刷电路板上进行安装和焊接。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:19A
导通电阻(典型值):2.7mΩ
栅极电荷:11nC
反向恢复时间:8ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
NVTR4502P具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能,可以满足高频应用需求。
3. 良好的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定运行。
4. 强大的过流能力和鲁棒性,适用于严苛的工作条件。
5. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
6. 封装坚固耐用,支持表面贴装技术(SMT),简化了生产流程。
该器件主要应用于以下场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 负载开关和保护电路中的快速切换元件。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
5. 工业自动化设备中的电源管理和信号调节模块。
6. 各种消费类电子产品的电源适配器和充电器设计。
IRFZ44N, FDP5500, PTH08P06L