NVTR4502P 时间：2025/6/4 17:16:44 阅读：4

NVTR4502P是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关模式电源（SMPS）、电机驱动和负载开关等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
　　其封装形式为TO-263（D2PAK），这种封装能够提供良好的散热性能和电气连接能力，便于在印刷电路板上进行安装和焊接。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：19A
　　导通电阻（典型值）：2.7mΩ
　　栅极电荷：11nC
　　反向恢复时间：8ns
　　工作结温范围：-55℃至+175℃

特性

NVTR4502P具备以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
　　2. 高速开关性能，可以满足高频应用需求。
　　3. 良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行。
　　4. 强大的过流能力和鲁棒性，适用于严苛的工作条件。
　　5. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
　　6. 封装坚固耐用，支持表面贴装技术（SMT），简化了生产流程。

应用

该器件主要应用于以下场景：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
　　2. 电机驱动电路中的功率级元件。
　　3. 负载开关和保护电路中的快速切换元件。
　　4. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。
　　5. 工业自动化设备中的电源管理和信号调节模块。
　　6. 各种消费类电子产品的电源适配器和充电器设计。