类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：80V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：5.0mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：D2PAK（带散热片）
　　引脚数：3
　　工艺：Trench沟槽工艺
　　极性：增强型

NVTFWS005N08XLTAG 具备多项优异特性，适用于高性能功率管理场景。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率，同时减少了对散热设计的依赖，有助于实现更紧凑的电路布局。该器件采用了先进的Trench沟槽技术，优化了导通性能与开关速度之间的平衡，从而在高频开关应用中表现出色。其80V的漏源耐压能力可满足多种中低压功率转换需求，例如DC-DC变换器、同步整流器和电池管理系统。
　　此外，NVTFWS005N08XLTAG 具有出色的热稳定性和高功率耗散能力（160W），可在高温环境下稳定工作。其D2PAK封装形式自带散热片，增强了散热性能，适用于高电流负载的场景。该器件的工作温度范围为-55℃至+175℃，具备良好的环境适应性，适用于工业级和汽车电子领域。
　　在可靠性方面，NVTFWS005N08XLTAG 的栅极氧化层经过优化设计，具备良好的抗静电能力和栅极稳定性，能够在复杂的电磁环境中稳定运行。同时，其高雪崩耐量确保了在异常工作条件下的器件安全。

NVTFWS005N08XLTAG 主要应用于需要高效能、高可靠性的功率电子系统中。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动电路、电池管理系统（BMS）以及汽车电子中的功率控制模块。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件特别适合用于高功率密度的电源模块，如服务器电源、通信设备电源以及工业自动化控制系统。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，NVTFWS005N08XLTAG 也常被用于功率转换环节。其良好的热管理和高频开关特性，使其成为高频电源拓扑结构（如LLC谐振变换器和ZVS软开关电路）的理想选择之一。

SiHF05N80ED、FDP05N80、STF05N80Z、NTP05N80T4G