时间：2025/8/2 8:27:17
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NVTFS5116PLWFTAG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的高性能、双N沟道功率MOSFET器件。该器件采用先进的PowerTrench?技术，旨在提供卓越的导通电阻（Rds(on)）和热性能，适用于多种高效率电源管理应用。该MOSFET封装为PowerFLAT? 5x6，具有低热阻和紧凑的尺寸，非常适合空间受限的应用场景。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：25V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：12A（@25℃）
导通电阻（Rds(on)）：14.5mΩ（@Vgs=10V）
功耗（Pd）：3.3W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：PowerFLAT 5x6
NVTFS5116PLWFTAG MOSFET具有多项优异的电气和热性能特点。首先，它采用了先进的PowerTrench?技术，使得器件能够在低Vgs电压下实现非常低的Rds(on)，从而降低导通损耗，提高能效。其次，该器件的双N沟道结构设计使其能够在一个封装中提供两个独立的MOSFET单元，适合用于同步整流、负载开关、DC-DC转换器等应用。此外，PowerFLAT?封装提供了出色的热管理性能，确保器件在高电流负载下仍能保持较低的工作温度，从而提高系统的可靠性和稳定性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围宽（最高可达20V），允许设计者根据系统需求选择适当的驱动电压以优化性能。此外，其高电流承载能力和低导通电阻也使其适用于电池供电设备、便携式电子产品、服务器电源系统和电机控制电路等高效率电源转换应用。
由于其紧凑的封装尺寸和高性能特性，NVTFS5116PLWFTAG在空间受限和高密度PCB设计中具有显著优势。同时，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品的环保要求。
NVTFS5116PLWFTAG 广泛应用于多种电源管理和功率转换场景。其主要应用包括同步整流器、DC-DC降压和升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、服务器和通信设备的电源模块、以及各种便携式电子设备中的高效电源管理电路。由于其优异的导通性能和热管理能力，该器件也非常适合用于需要高效率和高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器、LED照明驱动和电动助力转向系统。
NVTFS5117NLWFTAG, NVTFS5146PLT4G, Si7461DP
