NVTFS5116PL 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-220AB 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种需要高效功率转换的应用场景,如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等。
型号:NVTFS5116PL
封装:TO-220AB
Vds(漏源极电压):60V
Rds(on)(导通电阻,典型值):8.5mΩ
Id(连续漏极电流):47A
Qg(总栅极电荷):39nC
fT(特征频率):2.4MHz
Vgs(th)(栅源开启电压):2V~4V
功耗:110W
工作温度范围:-55℃~175℃
NVTFS5116PL 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),在典型条件下仅为 8.5mΩ,从而显著降低导通损耗,提高系统效率。
2. 高额定电流 Id 达到 47A,适用于大功率应用场合。
3. 总栅极电荷 Qg 仅为 39nC,有助于实现快速开关,减少开关损耗。
4. 支持高达 2.4MHz 的特征频率 fT,能够满足高频电路需求。
5. 工作温度范围宽广,从 -55℃ 到 +175℃,适应恶劣环境下的使用。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保设计。
这些特性使 NVTFS5116PL 成为工业、汽车及消费电子领域中高性能功率管理的理想选择。
NVTFS5116PL 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关 MOSFET。
3. 电机驱动器中的功率输出级,用于控制直流无刷电机或其他电动机类型。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电保护和负载切换。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
6. 各类负载开关和保护电路,提供高效的功率传输和控制功能。
NVTFS5127NL, IRF540N, FDP55N06L