NVTFS030N06CTAG 是一款由 Microchip Technology 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-263 封装,适用于多种高效率、高频开关应用。其额定电压为 60V,具有低导通电阻特性,可有效减少功率损耗。
这款 MOSFET 主要用于工业和消费电子领域,如电源适配器、电机驱动、DC-DC 转换器以及电池管理系统等。由于其卓越的热性能和电气特性,NVTFS030N06CTAG 成为需要高效能和紧凑设计的理想选择。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:41A
导通电阻(典型值):3.5mΩ
栅极电荷(典型值):12nC
开关速度:快速
封装类型:TO-263
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
NVTFS030N06CTAG 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,能够在高电流条件下实现更高效的功率传输。
2. 快速开关能力,适用于高频操作场景。
3. 高雪崩能量能力,确保在异常条件下的稳健运行。
4. 优化的热性能,有助于降低散热需求并提高系统可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,支持环保要求。
这些特性使得该器件非常适合用作功率转换和控制电路中的关键组件。
NVTFS030N06CTAG 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 工业设备中的电机驱动和负载切换。
3. 通信电源和服务器电源解决方案。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率调节。
5. 各种电池管理应用,例如电动汽车和储能系统。
其高性能和灵活性使该器件成为许多现代电力电子设计中的首选方案。
NVTFS031N06CTAG, NVTFS032N06CTAG