NVTA7002NT1G 时间：2025/6/3 14:53:47 阅读：18

NVTA7002NT1G 是安森美（onsemi）推出的一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT）。这款器件具有高频、高效和高功率密度的特点，非常适合用于开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高频工作的电力电子应用。其封装形式为PQFN5x6，有助于实现更紧凑的设计。
　　由于采用了先进的氮化镓技术，NVTA7002NT1G在性能上远超传统的硅基MOSFET，在开关速度、导通电阻以及效率方面都有显著优势。

参数

最大漏源电压：200V
　　连续漏极电流：4A
　　栅极电荷：39nC
　　输入电容：1640pF
　　导通电阻：120mΩ
　　工作结温范围：-55℃ to 175℃

特性

NVTA7002NT1G的核心特性包括：使用了增强型氮化镓工艺制造，从而实现了低导通电阻和高速开关性能。该器件具备快速开关能力，可以有效降低开关损耗，并提升系统整体效率。此外，它还具有较低的栅极电荷和输出电荷，进一步优化了动态性能。另外，其坚固的结构设计保证了较高的可靠性和耐热性，适合于工业级或汽车级的应用场景。
　　这款芯片通过优化寄生参数，使得在高频运行条件下也能保持出色的电气性能。同时，PQFN5x6的小型封装方式不仅节省了PCB空间，也简化了散热管理。

应用

NVTA7002NT1G广泛应用于各种高效率电力转换场合，如数据中心服务器电源、电动汽车车载充电器、无线充电设备、太阳能逆变器等。在这些领域中，该芯片凭借其高频特性和低功耗表现，能够帮助工程师设计出体积更小、重量更轻且效能更高的产品。
　　此外，它也非常适用于消费类电子产品中的快充适配器市场，因为这类产品对效率和尺寸要求较高，而NVTA7002NT1G正好满足这些需求。