NVT2003DP 时间：2025/5/10 15:40:07 阅读：6

NVT2003DP 是一款由安森美（onsemi）推出的双通道、高压侧/低压侧 MOSFET 驱动器。该芯片设计用于驱动 N 沤道功率 MOSFET 或 IGBT，适用于各种工业和汽车应用中的开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器。它具有快速的传播延迟和高驱动能力，能够显著提升系统的效率和性能。
　　该芯片内部集成了电平移位电路，可以支持宽输入电压范围，并且具备欠压锁定保护（UVLO）、短路保护等功能，从而提高了系统可靠性。

参数

供电电压：4.5V 至 18V
　　输出电流：峰值可达 ±1.5A
　　传播延迟：典型值为 60ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SOIC-8

特性

NVT2003DP 的主要特性包括：
　　1. 双通道独立驱动，可分别控制两个 MOSFET 或 IGBT。
　　2. 内置电荷泵，支持高达 100V 的栅极驱动电压。
　　3. 快速的开关速度和低传播延迟，适合高频应用。
　　4. 高抗噪能力，能够在恶劣电磁环境下稳定运行。
　　5. 具备完善的保护功能，如 UVLO 和短路保护，确保器件和系统的安全性。
　　6. 小型 SOIC-8 封装，便于 PCB 布局和散热管理。

应用

NVT2003DP 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
　　2. 电机驱动和逆变器控制。
　　3. 工业自动化设备中的功率转换。
　　4. 汽车电子中的负载开关和继电器驱动。
　　5. LED 照明驱动和光伏逆变器。
　　6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。