时间：2025/7/24 18:13:44
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NVMJST2D6N08HTXG 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管，设计用于高频率开关应用，例如DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。该器件采用先进的Trench沟槽技术，以提供更低的导通电阻（Rds(on)）和更高的效率。
类型：N沟道
漏极-源极电压（Vds）：80V
漏极-栅极电压（Vdg）：100V
连续漏极电流（Id）@25°C：60A
功耗（Pd）：200W
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：最大2.8mΩ
栅极电荷（Qg）：100nC
工作温度范围：-55°C至175°C
NVMJST2D6N08HTXG 具备多项先进特性，使其适用于高要求的电源管理应用。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在大电流条件下的低功率损耗，从而提高整体系统效率。
其次，该MOSFET支持高电流承载能力，额定连续漏极电流高达60A，使其适用于高功率密度设计。
此外，该器件的高耐压能力（Vds为80V，Vdg为100V）确保其在高压瞬态条件下的稳定运行。
其封装设计优化了热性能，使热量更有效地从芯片散发，确保在高温环境下仍能保持稳定工作。
内置的雪崩能量额定值提供了额外的保护，防止因电感负载开关导致的电压尖峰损坏器件，提高了系统的可靠性。
最后，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高高频开关应用中的性能。
NVMJST2D6N08HTXG 常用于高性能电源管理系统中，如服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、电机控制电路、负载开关以及需要高效能功率开关的工业控制系统。由于其高电流能力和良好的热管理特性，该器件也适用于电池管理系统和高功率LED照明驱动电路。
NVMJST2D6N08HTXG的替代型号包括NVTFS5C471NLWFTAG、FDS6680、SiR178DP-T1-GE3
