类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　漏极电流（Id）：9A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

NVMFWS0D9N04XMT1G MOSFET 具有极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的电流处理能力，能够承受较大的负载电流，适合需要高功率密度的设计应用。
　　该 MOSFET 的栅极电压范围较宽，支持 ±20V 的栅极电压，使得其在不同的驱动条件下都能保持稳定的工作状态。这种特性使其适用于多种驱动电路和功率管理方案。
　　在封装方面，NVMFWS0D9N04XMT1G 采用 DPAK（TO-252）封装形式，具有良好的散热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。这种封装形式也便于 PCB 布局和焊接，适用于表面贴装工艺，广泛用于自动化生产流程。
　　此外，该器件具有较高的可靠性和耐用性，能够在恶劣的环境条件下正常工作。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合在工业级应用中使用，如电源管理、电机控制、电池充电器和负载开关等场景。

NVMFWS0D9N04XMT1G 主要用于电源管理和功率控制应用。典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统、电源供应器以及各种工业自动化设备中的功率开关模块。其高效的导通性能和良好的热管理能力使其成为设计工程师在高功率密度和高效率需求应用中的首选器件。

NVMFWS0D9N04XR1G, FDP9N40, IRFZ44N