时间：2025/8/11 18:17:36
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NVMFS6H852NLT1G是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高功率和高频率的应用中。这款MOSFET设计用于在高效率和高可靠性要求下工作，特别适用于汽车、工业控制和电源管理系统。
类型：N沟道
最大漏极电流：60A
最大漏-源电压：80V
最大栅-源电压：20V
导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ @ Vgs=10V
功率耗散：120W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：PowerPAK SO-8
NVMFS6H852NLT1G具有低导通电阻（Rds(on)），使其在高电流条件下具有较低的功率损耗，提高了系统效率。
其高耐压能力（80V）使其适用于中高功率系统，例如电动工具、工业电机驱动和电源转换器。
该器件的封装形式为PowerPAK SO-8，具有较小的封装尺寸，同时保持良好的热管理和电气性能。
该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适合严苛的工业和汽车应用。
此外，NVMFS6H852NLT1G还具备较高的开关速度，适用于高频操作环境，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高整体系统效率。
其栅极驱动电压范围宽，能够在不同的驱动条件下保持稳定的性能。
该器件常用于直流-直流转换器、同步整流器、电机控制、电池管理系统、电动车辆（EV）和混合动力汽车（HEV）的功率系统、逆变器和工业自动化设备中。
由于其高可靠性和耐久性，它也广泛应用于高功率LED照明、不间断电源（UPS）和储能系统中。
NVMFS6H852NLT1G的替代型号包括SiR182DP-T1-E3、NVTFS6H852NL、NVMFS5H852NLT1G以及FDMS86180。
