时间：2025/8/28 14:47:09
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NVMFS6H824NLWFT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度的应用设计，具备低导通电阻、高耐压和良好的热性能。该 MOSFET 采用先进的沟槽工艺，提供优异的开关性能和导通损耗特性，适用于 DC-DC 转换器、电源管理、负载开关和电机控制等多种应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：80 V
栅源电压 Vgs：±20 V
连续漏极电流 Id @ 25°C：100 A
漏源导通电阻 Rds(on)：1.95 mΩ（最大值，@ Vgs = 10 V）
栅极电荷 Qg：138 nC（典型值）
输入电容 Ciss：4340 pF（典型值）
封装形式：PowerPAK SO-8 双散热焊盘
工作温度范围：-55°C 至 175°C
NVMFS6H824NLWFT1G 具备多项优异的电气和物理特性，能够满足高性能电源系统的需求。首先，其低导通电阻 Rds(on) 仅为 1.95 mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率，特别适用于大电流应用场景。其次，该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了卓越的开关性能，有助于减少开关损耗，从而提高整体能效。
此外，NVMFS6H824NLWFT1G 支持高达 100 A 的连续漏极电流，具备出色的电流承载能力，适合高功率密度的设计。其栅极电荷 Qg 为 138 nC，输入电容为 4340 pF，这些参数优化了其在高频开关应用中的表现，使得该器件能够在高频率下稳定运行。
该 MOSFET 使用 PowerPAK SO-8 封装，具有双散热焊盘设计，可有效提高热传导效率，确保在高功率运行时仍能保持稳定的温度。这种封装形式还具有良好的机械强度和焊接可靠性，适用于自动化生产流程。
该器件的工作温度范围从 -55°C 到 175°C，具备出色的温度稳定性，可在极端环境下正常工作。其栅源电压容限为 ±20 V，具备良好的抗过压能力，提高了系统的可靠性和安全性。
NVMFS6H824NLWFT1G 适用于多种高性能电源管理与功率控制应用。常见应用包括同步整流 DC-DC 转换器、服务器和通信设备的电源系统、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统。其高电流能力和低导通电阻特性使其在高效率电源转换系统中表现优异，尤其适合用于服务器、笔记本电脑和台式机的 VRM（电压调节模块）设计。
此外，该器件也广泛应用于汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等。其优异的热性能和稳定的工作特性确保其在高温环境下依然能保持良好的运行状态。
在工业自动化和电机控制领域，NVMFS6H824NLWFT1G 可用于构建高效率的 H 桥电路、直流电机驱动和继电器替代开关。其快速开关特性和低导通压降有助于提高电机控制的响应速度和能量利用率。
SiZ820DG-T1-GE3, FDS8873C, IPB045N08N3 G, NVMFS4C06NLT1G
