时间：2025/5/7 9:13:40
阅读：5
NVMFS5C682NLT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高性能 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，提供卓越的导通电阻性能和低栅极电荷，使其非常适合用于需要高效开关和低功耗的应用场合。
此 MOSFET 的封装形式为 LFPAK56D，是一种小型化、表面贴装的功率封装，能够满足紧凑设计的需求，同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：120A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：49nC
总电容：1230pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
NVMFS5C682NLT1G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，可支持大电流应用。
3. 小型化的 LFPAK56D 封装，节省 PCB 空间。
4. 优秀的热性能，确保在高功率密度下的稳定性。
5. 快速开关特性，适合高频操作环境。
6. 宽广的工作温度范围，适应各种严苛的工作条件。
NVMFS5C682NLT1G 广泛应用于以下领域：
1. 电机驱动电路中的功率开关。
2. 工业自动化设备中的电源管理。
3. 电动工具和家用电器的功率转换模块。
4. DC-DC 转换器和逆变器中的关键组件。
5. 新能源汽车中的电池管理系统和牵引逆变器。
6. 不间断电源（UPS）和其他高可靠性电源解决方案。
NVMFS5C682NL, NVMFS5C682NLT
