时间：2025/8/28 14:49:08
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NVMFS5C670NLT3G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高性能功率开关应用而设计，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场合。该 MOSFET 采用先进的 Trench 技术，提供良好的热性能和高效的开关特性。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：80A（Tc=25℃）
导通电阻 RDS(on)：最大 3.7mΩ（在 VGS=10V）
功率耗散（PD）：160W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：D2PAK（TO-263）
NVMFS5C670NLT3G 具有多个显著的技术特性，使其在功率电子设计中具有广泛的适用性。
首先，该器件采用了先进的 Trench 工艺技术，使其在低导通电阻方面表现出色。RDS(on) 最大仅为 3.7mΩ，在 VGS=10V 的条件下，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
其次，NVMFS5C670NLT3G 具有较高的电流承载能力，其连续漏极电流 ID 可达 80A（在 Tc=25℃ 条件下），适合高功率应用。此外，其最大漏源电压为 60V，能够满足大多数中低压功率转换器的需求。
该器件的封装形式为 D2PAK（TO-263），是一种表面贴装封装，具有良好的热管理性能，有助于提高器件在高功率应用下的稳定性和可靠性。
此外，NVMFS5C670NLT3G 还具备宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适合在各种环境条件下运行，包括工业级和汽车级应用。其栅源电压范围为 ±20V，提供良好的栅极控制稳定性，避免因过压而损坏器件。
在开关性能方面，该 MOSFET 具有快速开关能力，能够减少开关损耗，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。同时，其优异的热阻特性（RθJC）使得在高功耗工作时仍能保持较低的温升，从而延长使用寿命并提升系统可靠性。
最后，NVMFS5C670NLT3G 符合 RoHS 标准，并且在制造过程中不使用卤素材料，符合环保要求，适用于绿色电子产品设计。
NVMFS5C670NLT3G MOSFET 广泛应用于多种电力电子系统中。首先，在电源管理系统中，该器件可作为主开关用于 DC-DC 转换器，实现高效的电压转换。由于其低导通电阻和高电流承载能力，特别适合用于同步整流拓扑结构中，以提高转换效率。
其次，该器件可用于负载开关应用，例如服务器、存储设备和工业控制系统中的电源分配管理。其高可靠性和良好的热性能确保在大电流负载切换时保持稳定运行。
此外，NVMFS5C670NLT3G 还适用于电机控制和电源逆变器系统，如电动工具、电动车和工业电机驱动器。其快速开关能力和高耐压特性使其能够在高动态负载条件下提供稳定性能。
在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及车身控制模块中的功率开关。其宽工作温度范围和高可靠性满足汽车应用对电子元件的严格要求。
最后，该器件还可用于不间断电源（UPS）、电信电源系统和光伏逆变器等高可靠性工业设备中，作为关键的功率开关元件。
SiR3460DP-T1-GE3, IRF3205, NVTFS5C670NLWFTAG, FDS6680, IPB036N06NG
