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NVMFS5C468NL 发布时间 时间:2025/8/13 17:45:24 查看 阅读:6

NVMFS5C468NL 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)推出的增强型功率MOSFET器件,主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高功率密度,适用于多种高功率电子系统,如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):160A
  最大漏-源电压(VDS):60V
  最大栅-源电压(VGS):±20V
  导通电阻(Rds(on)):最大值为 3.8 mΩ @ VGS=10V
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:PowerPAK SO-8

特性

NVMFS5C468NL MOSFET具有多项优异的电气性能和可靠性特征。其低导通电阻确保了在大电流工作条件下较低的功率损耗,从而提高系统效率并减少散热需求。该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构,增强了载流能力和热稳定性。此外,NVMFS5C468NL还具备高雪崩能量耐受能力,使其在瞬态过电压条件下依然保持稳定运行。其封装形式为PowerPAK SO-8,具有良好的热管理和空间利用率,适用于紧凑型PCB设计。
  在驱动能力方面,该MOSFET支持快速开关操作,降低开关损耗,并与常见的栅极驱动器兼容。此外,该器件符合RoHS环保标准,适合广泛应用于工业、汽车及消费类电子产品中。

应用

NVMFS5C468NL 主要用于高性能电源转换和功率管理应用,例如同步整流DC-DC降压转换器、升压转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电动工具、电动车控制器以及工业自动化设备中的功率开关模块。其高电流承载能力和低导通损耗特性也使其成为高性能电机驱动器和电源分配系统中的理想选择。

替代型号

SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, IRF6717, NVTFS5C468NL

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