时间：2025/6/17 2:31:12
阅读：3
NVMFS5C460NLWFT1G 是一款由 ON Semiconductor 提供的高性能 N 沟道功率 MOSFET，采用 LFPAK8 封装形式。该器件主要设计用于需要高效率和低导通电阻的应用场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等。其优化的制造工艺使得该器件具备极低的导通电阻和出色的开关性能。
此外，LFPAK8 封装以其卓越的散热特性和小尺寸封装为特点，非常适合空间受限的设计需求。NVMFS5C460NLWFT1G 在汽车电子和工业应用中有着广泛的应用前景。
最大漏源电压：30V
连续漏电流：210A
导通电阻（Rds(on)）：0.7mΩ
栅极电荷：150nC
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：LFPAK8
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 210A 的连续漏电流。
3. 快速开关性能，得益于优化的栅极电荷设计。
4. 工作温度范围宽广，适用于极端环境下的应用。
5. 小型化封装 LFPAK8，提供卓越的散热性能同时节省 PCB 空间。
6. 符合 AEC-Q101 标准，确保在汽车级应用中的可靠性。
1. 汽车电子中的 DC-DC 转换器。
2. 高效负载开关。
3. 电动车辆中的逆变器和电机控制。
4. 工业自动化设备中的电源管理。
5. 大电流保护电路。
6. 各类开关模式电源（SMPS）应用。
NVMFS5C460NLTFT1G
