时间：2025/5/12 13:37:15
阅读：8
NVMFS5C450NAFT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的工艺设计，具有低导通电阻和快速开关性能，适合用于高效能开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
这款 MOSFET 的封装形式为 LFPAK88（D2PAK 封装的一种变体），能够提供卓越的散热性能和电气特性，同时支持表面贴装技术（SMT），非常适合高密度 PCB 设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：45A
导通电阻（Rds(on)）：1.3mΩ（典型值，当 Vgs=10V 时）
栅极电荷：55nC（典型值）
反向恢复时间：7ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：LFPAK88
NVMFS5C450NAFT1G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，使得其在高频开关应用中表现优异。
3. 高电流承载能力，可满足大功率应用场景的需求。
4. 优化的栅极电荷设计，减少开关损耗。
5. 支持高温运行，适用于严苛的工作环境。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
7. 表面贴装封装，简化了自动化生产流程。
该器件广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护开关。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 汽车电子系统中的功率转换和控制模块。
NVMFS5C400NAFT1G, NVMFS5C450NAHFB1G
