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NVMFD5C462NLT1G 发布时间 时间:2025/4/28 20:30:09 查看 阅读:2

NVMFD5C462NLT1G 是一款由知名半导体厂商生产的非易失性存储器芯片,属于 NOR Flash 存储器系列。该型号主要应用于需要高可靠性和快速读取速度的场景,如工业控制、汽车电子和消费类电子产品中。其采用先进的制造工艺,提供大容量的数据存储和擦写功能,同时具有低功耗和高稳定性的特点。

参数

存储容量:512Mb
  电压范围:1.7V-3.6V
  接口类型:SPI
  工作温度:-40℃至+125℃
  封装形式:WSON16
  数据保留时间:20年
  擦写次数:100,000次

特性

NVMFD5C462NLT1G 具有以下显著特性:
  1. 高速 SPI 接口支持高达 108MHz 的时钟频率,确保数据传输速率。
  2. 支持多种工作模式,包括标准 SPI、双 I/O 和四线 SPI 模式,以适应不同应用场景的需求。
  3. 内置 ECC(错误校正码)引擎,提高数据完整性和可靠性。
  4. 具备扇区保护功能,防止未经授权的写入或擦除操作。
  5. 提供灵活的分区管理功能,方便用户对存储空间进行高效利用。
  6. 超低待机功耗,延长电池供电设备的使用寿命。

应用

NVMFD5C462NLT1G 广泛应用于多个领域,主要包括:
  1. 工业自动化设备中的程序代码和配置数据存储。
  2. 汽车电子系统,如仪表盘、信息娱乐系统和 ADAS(高级驾驶辅助系统)。
  3. 物联网终端设备的数据记录和固件升级。
  4. 医疗设备中关键数据的持久化保存。
  5. 消费类电子产品,例如智能手表、智能家居控制器等。
  其卓越的性能和稳定性使其成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

NVMFD5C462NLH1G
  NVMFD5C462NLL1G

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NVMFD5C462NLT1G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥21.39000剪切带(CT)1,500 : ¥10.49610卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A(Ta),84A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.7 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 40μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)11nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1300pF @ 25V
  • 功率 - 最大值3W(Ta),50W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)