时间：2025/6/17 19:47:08
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NVMFD5877NLT1G是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用增强型场效应晶体管（e-mode FET）结构，具备低导通电阻和快速开关性能。其封装形式通常为表面贴装（SMD），适用于工业、消费电子及汽车电子等领域的高效电源转换系统。
该型号属于英飞凌（Infineon）推出的CoolGaN系列产品之一，主要面向需要高功率密度和高能效的应用场景。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：13A
导通电阻：0.12Ω
栅极电荷：45nC
开关频率：高达5MHz
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：DSON8
1. 氮化镓材料提供卓越的高频性能和低导通损耗。
2. 增强模式操作无需负栅驱动电压，简化了驱动电路设计。
3. 高度集成保护功能，包括过流保护和短路保护，提升了系统的可靠性。
4. 封装紧凑，支持表面贴装技术（SMD），便于自动化生产和小型化设计。
5. 能够在高温环境下稳定运行，适合严苛的工作条件。
NVMFD5877NLT1G广泛应用于各类高性能电力电子设备中，例如：
1. 开关电源（SMPS）和适配器。
2. 无线充电模块。
3. LED驱动器。
4. 数据中心电源管理单元。
5. 新能源汽车车载充电器（OBC）和DC/DC转换器。
6. 工业电机驱动与逆变器控制。
NVMFS5877NLT1G, NVMFD5877NL
