时间：2025/7/14 15:28:04
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NVHL075N065SC1 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的高性能功率MOSFET，主要用于高电流、高效率的电源管理系统。该器件采用先进的SuperFET? II技术，提供更低的导通电阻和更高的能效。适用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备等应用场景。
类型：功率MOSFET
工艺技术：SuperFET? II
最大漏极电流（Id）：75A
漏源电压（Vds）：65V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：4.8mΩ（典型值）
封装形式：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C至175°C
功率耗散（Pd）：200W
NVHL075N065SC1 具备多项优良特性，包括极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低功率损耗并提高系统效率；采用先进的屏蔽栅（Shielded Gate）设计，优化了开关性能并减少了高频噪声；其高电流承载能力与优异的热管理性能使其在高负载条件下依然稳定运行；此外，该器件具有良好的雪崩能量耐受能力，增强了在极端工况下的可靠性。
该MOSFET还具备快速开关速度，有助于减小外部滤波元件尺寸并提升整体系统响应速度。同时，其高栅极电荷稳定性确保在高频PWM应用中保持良好的控制精度。
NVHL075N065SC1 主要用于高性能电源转换系统，如同步整流式DC-DC转换器、电动车辆电池管理系统（BMS）、电机驱动器、服务器电源供应单元（PSU）及工业控制设备中的功率级模块。此外，它还可应用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及各类高功率密度电子系统中。
NTBLS075N065SC1, SiR882DP-T1-GE3, FDS6680
