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NVD4808NT4G 发布时间 时间:2025/6/20 23:34:26 查看 阅读:4

NVD4808NT4G 是一款高性能的 DRAM 存储芯片,主要应用于需要大容量数据存储和高速数据处理的场景。该芯片采用先进的制造工艺,具备高密度、低功耗的特点,能够满足现代电子设备对内存性能的严格要求。
  它通常用于服务器、工作站、高性能计算设备以及其他需要大量数据缓存的领域。其出色的稳定性和可靠性使得它成为众多高端应用的理想选择。

参数

类型:DRAM
  容量:4Gb
  组织方式:512M x 8
  工作电压:1.35V
  接口类型:DDR3L
  封装形式:BGA
  引脚数:96
  速度:1600 Mbps
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C

特性

NVD4808NT4G 的主要特性包括:
  1. 高速数据传输能力:支持 DDR3L 标准,传输速率高达 1600 Mbps,确保了高效的数据交换。
  2. 节能设计:采用低功耗 DDR3L 技术,在保证性能的同时有效降低了能耗。
  3. 稳定性与可靠性:经过严格测试,能够在广泛的温度范围内保持稳定的运行状态。
  4. 高密度集成:单芯片实现 4Gb 容量,大大节省了 PCB 空间,适合紧凑型设计。
  5. 兼容性强:与多种主流平台兼容,便于系统集成和扩展。

应用

NVD4808NT4G 广泛应用于以下领域:
  1. 服务器和工作站:为多任务处理和大数据运算提供充足的内存支持。
  2. 高性能计算(HPC):适用于需要快速数据访问和处理的科学计算环境。
  3. 工业控制设备:在工业自动化系统中提供可靠的数据存储功能。
  4. 网络通信设备:如路由器和交换机等,确保数据包高效缓存和转发。
  5. 嵌入式系统:为复杂的嵌入式应用提供高性能的内存解决方案。

替代型号

MT41K512M8HR-125IT, K4B2G164QF-EGCF

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NVD4808NT4G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A(Ta),63A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,11.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)13 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1538 pF @ 12 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.4W(Ta),54.6W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DPAK
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63