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NVD3055-094T4G 发布时间 时间:2025/7/15 19:42:43 查看 阅读:6

NVD3055-094T4G是一款由ON Semiconductor生产的双极性晶体管(BJT),专为高功率和高频率应用设计。该晶体管属于NPN型,适用于各种电源管理和放大电路。这款器件具有出色的热稳定性和可靠性,广泛用于工业控制、电源转换器以及射频(RF)放大器等领域。

参数

类型:NPN双极性晶体管
  最大集电极电流:15A
  最大集电极-发射极电压:60V
  最大基极电流:0.15A
  最大功耗:125W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-220AB
  过渡频率:2.5MHz
  直流电流增益(hFE):在IC=4A时为20至70
  集电极-基极击穿电压:100V

特性

NVD3055-094T4G采用了先进的制造工艺,确保了在高功率运行下的稳定性与性能。其低饱和压降(VCE(sat))使得能量损耗更小,从而提高整体效率。此外,该晶体管具备较高的电流增益(hFE),能够在较小的输入信号下驱动较大的负载。这种晶体管还具有良好的热保护功能,在过热情况下能够自动降低功耗以避免损坏。
  这款器件的封装形式为TO-220AB,便于散热并适合嵌入到紧凑型电路板中。它的高频响应能力使其适用于需要快速开关的应用场景,如DC-DC转换器、电机控制器和音频放大器。由于其耐用性和稳定性,NVD3055-094T4G也是许多工业自动化设备和电力电子系统的首选晶体管之一。

应用

NVD3055-094T4G常用于多种高性能电子系统中。例如,在电源管理领域,它被广泛应用于开关电源(SMPS)、电池充电器和逆变器中作为主要的功率开关元件。在工业自动化和控制系统中,该晶体管可用于驱动继电器、电磁阀和其他高功率执行机构。此外,NVD3055-094T4G还可以用于音频放大器电路中,提供高保真的信号放大功能。
  在汽车电子方面,该晶体管适用于车载充电系统、电动机控制以及LED照明驱动电路。由于其耐高温和抗干扰能力强,因此也适合在恶劣环境条件下工作的设备使用。

替代型号

TIP3055, MJ21194

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NVD3055-094T4G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)94 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)450 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.5W(Ta),48W(Tj)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DPAK
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63