NVD3055-094T4G是一款由ON Semiconductor生产的双极性晶体管(BJT),专为高功率和高频率应用设计。该晶体管属于NPN型,适用于各种电源管理和放大电路。这款器件具有出色的热稳定性和可靠性,广泛用于工业控制、电源转换器以及射频(RF)放大器等领域。
类型:NPN双极性晶体管
最大集电极电流:15A
最大集电极-发射极电压:60V
最大基极电流:0.15A
最大功耗:125W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220AB
过渡频率:2.5MHz
直流电流增益(hFE):在IC=4A时为20至70
集电极-基极击穿电压:100V
NVD3055-094T4G采用了先进的制造工艺,确保了在高功率运行下的稳定性与性能。其低饱和压降(VCE(sat))使得能量损耗更小,从而提高整体效率。此外,该晶体管具备较高的电流增益(hFE),能够在较小的输入信号下驱动较大的负载。这种晶体管还具有良好的热保护功能,在过热情况下能够自动降低功耗以避免损坏。
这款器件的封装形式为TO-220AB,便于散热并适合嵌入到紧凑型电路板中。它的高频响应能力使其适用于需要快速开关的应用场景,如DC-DC转换器、电机控制器和音频放大器。由于其耐用性和稳定性,NVD3055-094T4G也是许多工业自动化设备和电力电子系统的首选晶体管之一。
NVD3055-094T4G常用于多种高性能电子系统中。例如,在电源管理领域,它被广泛应用于开关电源(SMPS)、电池充电器和逆变器中作为主要的功率开关元件。在工业自动化和控制系统中,该晶体管可用于驱动继电器、电磁阀和其他高功率执行机构。此外,NVD3055-094T4G还可以用于音频放大器电路中,提供高保真的信号放大功能。
在汽车电子方面,该晶体管适用于车载充电系统、电动机控制以及LED照明驱动电路。由于其耐高温和抗干扰能力强,因此也适合在恶劣环境条件下工作的设备使用。
TIP3055, MJ21194