类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A（Tc=25°C）
　　功耗（PD）：220W
　　导通电阻（RDS(on)）：3.7mΩ（最大值，VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V至4.0V（ID=250μA）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装：DPAK（TO-252）

NVD07SC10OC具有多项优异性能，首先其低导通电阻显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率。其次，该器件具备高电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作。此外，NVD07SC10OC采用了先进的Trench沟槽结构，优化了电场分布，从而提升了器件的击穿电压稳定性与可靠性。在热性能方面，DPAK封装具备良好的散热能力，使得器件在高功率应用中仍能保持较低的工作温度。此外，该MOSFET具备快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频开关电源应用。最后，NVD07SC10OC具有较强的抗雪崩能力和抗短路能力，增强了器件在恶劣工况下的可靠性与耐用性。

NVD07SC10OC广泛应用于多种高功率、高效率的电子系统中，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、不间断电源（UPS）、工业电源、汽车电子系统（如车载充电器和电机控制器）等。此外，该器件也适用于需要高效能功率开关的家用电器、服务器电源和通信设备电源系统中。其优异的导通特性和热管理能力使其成为高要求功率应用的理想选择。

NVTFS5C410NLTAG,NVMSF5C410NLB