时间：2025/12/25 5:36:55
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NV6123是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能、低压侧N沟道功率MOSFET驱动器芯片。该芯片专为驱动功率MOSFET和IGBT设计，广泛用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和同步整流等应用中。NV6123具有高速开关能力、低传输延迟以及宽输入电压范围等优势，适合在高频率、高效率的电源系统中使用。
类型：低压侧MOSFET驱动器
封装类型：TSSOP-8
工作电压范围：4.5V至18V
输出电流能力：拉电流1.2A，灌电流1.6A
传输延迟时间：典型值为9ns
上升/下降时间：典型值为5ns（24ns负载条件下）
工作温度范围：-40°C至+125°C
输入逻辑阈值：兼容3.3V、5V和12V逻辑电平
驱动能力：支持高边和低边应用（但NV6123为低边专用）
NV6123采用先进的BiCMOS工艺制造，具备出色的高频开关性能，能够有效降低开关损耗，提高系统效率。该芯片的输入端兼容多种逻辑电平（包括3.3V、5V和12V），方便与各种控制器连接。其输出驱动能力强，能够在短时间内对功率MOSFET的栅极电容进行快速充放电，从而实现快速的开关动作，适用于高频率工作环境。NV6123的传输延迟非常低，确保了驱动信号的精确同步，减少了交叉传导的风险。此外，该器件具有良好的抗干扰能力，在复杂的电磁环境中保持稳定运行。其封装形式为小型TSSOP-8，节省PCB空间，适用于高密度电源设计。NV6123还具备欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于设定阈值时，驱动器会自动关闭输出，防止MOSFET工作在非安全区域，提高系统的可靠性。
NV6123的典型应用包括同步整流降压转换器、升压转换器、半桥和全桥拓扑中的低边驱动电路。其高集成度和优异性能使其成为现代高效能电源系统中的理想选择。
NV6123广泛应用于各类电源管理系统中，如DC-DC转换器、AC-DC适配器、同步整流器、电机驱动、LED照明驱动以及工业自动化设备。此外，该器件也适用于通信电源、服务器电源、电动车电源系统以及储能系统中的功率控制模块。
Si8411BD-C-ISR, TC4420COA, IRS2104S, MIC502-YN
