时间：2025/6/10 16:44:27
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NV1812N471J302CEKN 是一款由 ON Semiconductor 生产的功率 MOSFET 芯片，采用 N 沟道增强型场效应晶体管技术。该器件专为高效率开关应用而设计，适用于工业、通信和消费类电子设备中的电源管理领域。其出色的导通电阻和快速开关性能使其成为众多电路设计的理想选择。
型号：NV1812N471J302CEKN
类型：N沟道功率MOSFET
封装形式：TO-263（DPAK）
Vds（漏源电压）：120V
Rds(on)（导通电阻）：47mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：30A
Qg（栅极电荷）：15nC
fT（过渡频率）：2.7MHz
Vgs(th)（阈值电压）：2.5V~4.5V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
NV1812N471J302CEKN 的主要特性包括低导通电阻 (Rds(on))，这显著降低了传导损耗，从而提高了系统的整体效率。
此外，它具有较低的栅极电荷 (Qg)，确保了快速的开关速度，减少了开关损耗。这种高效的开关性能使得该器件非常适合高频 DC-DC 转换器和电机驱动应用。
由于采用了先进的制造工艺，NV1812N471J302CEKN 具有良好的热稳定性和耐用性，在恶劣的工作条件下仍能保持稳定的性能。
另外，其 TO-263 封装易于安装并提供良好的散热性能，适合多种应用场合。
NV1812N471J302CEKN 主要应用于需要高效功率转换的场景中，如开关模式电源 (SMPS)、同步整流器、DC-DC 转换器、电机驱动器以及电池管理系统等。
在通信领域，它可以用于基站功率放大器和服务器电源模块。
在工业应用中，这款 MOSFET 可以用作可编程逻辑控制器 (PLC) 或变频驱动器中的关键元件。
同时，其出色的电气特性和可靠性也使其成为汽车电子系统中的理想选择，例如电动助力转向系统或混合动力汽车中的能量管理单元。
IRFZ44N
FDP5802
STP30NF10L
