时间：2025/6/10 12:50:47
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NV1210B683K102CEMN 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛适用于各种电源管理应用。其封装形式为 TO-263-3（D2PAK），适合表面贴装，有助于提高电路板的可靠性和散热性能。
该芯片的主要特点是能够承受较高的持续漏极电流，并在高频开关条件下保持较低的功耗。此外，NV1210B683K102CEMN 的设计充分考虑了 EMC 兼容性，确保其在复杂电磁环境中的稳定性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：34A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：95nC
反向恢复时间：27ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-3（D2PAK）
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高负载电流下减少功耗。
2. 高速开关性能，适合高频 PWM 控制器。
3. 内置防静电保护（ESD Protection），提高可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
5. 良好的热性能，支持长时间稳定运行。
6. 表面贴装封装，简化生产流程并提升 PCB 空间利用率。
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器模块。
3. 工业自动化设备中的功率控制。
4. 电池管理系统（BMS）和保护电路。
5. 太阳能逆变器及 LED 照明驱动电路。
6. 汽车电子中的负载开关和继电器替代方案。
IRFZ44N, FDP5570, AO6812
