时间：2025/6/6 18:44:12
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NV1206N680J102CEDN 是一款高性能的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，专为高功率应用设计。该器件采用了先进的封装技术，具有低导通损耗和开关损耗的特点，适合用于工业驱动、太阳能逆变器以及不间断电源等场景。
该模块内部集成了多个 IGBT 单元，并通过优化的芯片布局和连接设计以降低寄生电感，从而提高整体效率和可靠性。
额定电压：1200V
额定电流：680A
集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）：≤2.0V
栅极-发射极阈值电压（Vge(th)）：10~15V
开通时间（t(on)）：<1μs
关断时间（t(off)）：<1μs
工作结温范围：-40℃至+150℃
存储温度范围：-55℃至+150℃
最大功耗：根据具体应用而定
NV1206N680J102CEDN 拥有以下显著特性：
1. 高额定电流能力，适用于大功率场景。
2. 先进的芯片制造工艺，降低了器件的导通和开关损耗。
3. 内部集成快速恢复二极管，提升系统效率并减少开关噪声。
4. 紧凑型封装设计，减小了模块体积的同时提升了散热性能。
5. 支持高频开关操作，适合现代电力电子设备的需求。
6. 出色的热稳定性，在高温环境下依然保持可靠的性能。
这款 IGBT 模块广泛应用于多种高功率电子设备中，包括但不限于：
1. 工业电机驱动系统。
2. 太阳能逆变器，用于将直流电转换为交流电。
3. 不间断电源（UPS），确保关键负载在主电源中断时持续供电。
4. 电动汽车充电站和其他需要高效功率转换的应用。
5. 焊接设备以及其他涉及高电流切换的工业设备。
FZ1200R12KE3, XM12H680T4D
