时间：2025/6/12 14:28:12
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NV1206B681K102CEDN 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 N 沟道增强型技术，适用于高效率开关应用。其设计优化了导通电阻和开关性能，适合用于电源管理、电机驱动、逆变器以及其他工业应用。
型号：NV1206B681K102CEDN
类型：N沟道 MOSFET
封装：TO-220
Vds（漏源极电压）：650 V
Rds(on)（导通电阻）：1.2 Ω
Id（持续漏极电流）：12 A
f(max)（最大工作频率）：500 kHz
功耗：12 W
栅极电荷：37 nC
总电容：1400 pF
NV1206B681K102CEDN 具有出色的电气特性和可靠性。
1. 高压耐受能力：Vds 为 650V，确保在高压环境下稳定运行。
2. 较低的导通电阻：Rds(on) 为 1.2Ω，在高电流应用中减少功率损耗。
3. 快速开关能力：支持高达 500kHz 的开关频率，适用于高频开关电源和 PWM 控制电路。
4. 热稳定性强：具备良好的热管理和散热性能，可承受较高功率负载。
5. 高可靠性：经过严格的测试流程，确保在恶劣环境下的长期使用。
6. 封装形式坚固：TO-220 封装提供卓越的机械强度和散热性能。
NV1206B681K102CEDN 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：
- 用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动：
- 适用于各类无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动。
3. 逆变器：
- 在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中作为主功率开关。
4. 工业控制：
- 用于工业自动化设备中的电磁阀和继电器驱动。
5. LED 驱动器：
- 在高功率 LED 照明应用中实现高效调光和恒流控制。
6. 充电器：
- 包括电动车充电器和消费类电子产品的快速充电解决方案。
NV1206B681K102D, IRFZ44N, FQP50N06L
