NV1206B221K102CEDN 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管,主要应用于电源管理、电机驱动和功率转换等领域。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升电路效率并降低功耗。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,适用于多种电压和电流范围的工作场景,其封装形式紧凑,适合高密度设计需求。
型号:NV1206B221K102CEDN
类型:MOSFET (N沟道)
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,Vgs=10V)
总功耗(Ptot):25W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-3
NV1206B221K102CEDN 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,可有效减少传导损耗,特别适合大电流应用环境。
2. 高速开关性能,有助于提升开关电源和逆变器等设备的效率。
3. 提供强大的雪崩能力和鲁棒性,能够在异常条件下保护电路。
4. 小尺寸封装,节省 PCB 空间,方便布局与散热设计。
5. 工作温度范围宽广,支持工业级及汽车级应用场景。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如 AC/DC 转换器、DC/DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统。
4. 电池管理系统(BMS)中用于充放电保护。
5. 工业自动化设备中的负载切换和功率调节。
6. 汽车电子系统的继电器替代和 DC/DC 转换模块。
NV1206B221K102CDDN, IRF540N, FDP5580