时间：2025/6/10 16:36:57
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NV1206B122K102CEDN 是一款高性能的功率MOSFET芯片，适用于各种高效率开关电源和电机驱动应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够在高频条件下保持高效的能量转换。
型号：NV1206B122K102CEDN
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-220
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：12A
最大栅源电压：±20V
导通电阻：0.18Ω（典型值）
总功耗：140W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
NV1206B122K102CEDN 具有以下显著特点：
1. 低导通电阻：有助于减少导通损耗，提高系统效率。
2. 高击穿电压：支持高达600V的工作电压，适用于高压环境下的应用。
3. 快速开关速度：减少了开关损耗，适合高频开关电源和逆变器。
4. 热稳定性强：能在宽温范围内可靠工作，适合工业和汽车领域。
5. 小型化设计：紧凑的TO-220封装使电路板布局更加灵活。
这款功率MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和控制。
3. 电动车和混合动力车中的逆变器。
4. LED驱动器和其他需要高效功率管理的场合。
5. 各类保护电路如过流保护和负载切换。
NV1206B122K102CEPN, IRF540N, STP12NM60
