NV1206B102M202CEDN 是一款陶瓷封装的多层片式电容器(MLCC),主要用于高频滤波、去耦和信号调节等应用。该型号属于 C0G 温度特性系列,具有极佳的温度稳定性及低损耗特点,非常适合对频率响应和温度变化敏感的电路设计。
这款电容器采用表面贴装技术(SMD),适用于自动化生产设备,并提供可靠的电气性能和机械稳定性。由于其稳定的介质材料特性,NV1206B102M202CEDN 在各种环境条件下均能保持一致的性能表现。
电容值:100pF
额定电压:50V
公差:±0.25pF
温度系数:C0G (±30ppm/°C)
封装类型:0402
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
直流偏压特性:无显著容量下降
ESR:非常低
频率特性:优异
NV1206B102M202CEDN 的主要特性包括以下几点:
1. **高稳定性**:采用 C0G(NP0)介质材料,确保在宽温范围内具有极高的稳定性和一致性。
2. **低损耗**:具备极低的介电损耗,适合高频应用场景。
3. **紧凑设计**:使用 0402 封装,占用空间小,便于在高密度 PCB 上进行布局。
4. **宽工作温度范围**:能够在极端环境下可靠运行,适应工业和汽车级应用。
5. **无铅环保**:符合 RoHS 标准,满足现代绿色制造要求。
6. **高可靠性**:经过严格的质量控制流程,保证长时间运行中的稳定性。
NV1206B102M202CEDN 广泛应用于以下领域:
1. 高频振荡器和滤波器电路
2. RF 通信设备中的信号调节
3. 数字电路的电源去耦
4. 工业控制系统中的噪声抑制
5. 汽车电子模块中的信号完整性优化
6. 医疗设备中的精密信号处理
7. 航空航天领域的高性能电子组件
凭借其卓越的性能,这款电容器特别适合需要高稳定性和高可靠性的场景。
CV1206B102M202AEDN
AVX-0402YC100ZATU
Kemet-C0805C102K4RACTU