时间：2025/5/23 6:43:59
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NUP3105LT1G 是一款单通道 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-23 封装。该器件适用于各种低压应用场合，具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力的特点。其设计目标是为便携式设备和其他需要高效功率转换的系统提供可靠的解决方案。
该器件广泛应用于负载开关、DC-DC 转换器、电池保护电路以及信号电平转换等场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻（典型值）：150mΩ
总功耗：420mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
NUP3105LT1G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻确保了较高的效率，在高电流应用场景中减少了功率损耗。
2. 高速开关性能使其适合高频应用环境，例如 DC-DC 转换器。
3. 小型化的 SOT-23 封装节省了 PCB 空间，非常适合空间受限的设计。
4. 宽泛的工作温度范围使得它能够在恶劣环境下保持稳定运行。
5. 内部具备 ESD 保护功能，提高了系统的可靠性。
NUP3105LT1G 的主要应用领域包括：
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 便携式设备的电源管理模块。
3. 各类 DC-DC 转换器和降压电路。
4. 电池保护与充电控制电路。
5. 信号电平转换及一般性电子开关用途。
AO3400A, IRLML6401TRPBF, FDN340P
