时间:2023/4/12 11:17:58
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NUP2201MR6T1G技术参数
最大反向漏电流IR(nA):5
峰值反向工作电压VRWM(V):5
最大反向浪涌电流Ipp(A):25
最大反向电压(钳位电压)Vc(V):20
最大齐纳阻抗Zzt(W):-
封装/温度(℃):TSOP-6/-40~125
描述:用于高速数据线保护的低电容TVS 阵列
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |