NUP1301ML3T1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效电源管理芯片,主要用于 USB PD(Power Delivery)快充应用。该芯片集成了同步整流控制器和 GaN 功率晶体管,能够显著提高充电效率并减少系统尺寸。
这款芯片适用于高功率密度设计,支持高达 100W 的输出功率,并且能够在高频开关条件下保持低损耗。其封装形式为 ML3 封装,具备出色的散热性能。
型号:NUP1301ML3T1G
封装:ML3
输入电压范围:4.5V 至 22V
输出电流:最高支持 5A
GaN FET 集成:是
工作频率:高达 2MHz
效率:超过 95%
保护功能:过热保护、过压保护、短路保护
应用领域:USB PD 充电器、便携式设备快充解决方案
NUP1301ML3T1G 的主要特性包括:
1. 高效的 GaN 技术集成,确保更高的能量转换效率和更小的系统尺寸。
2. 支持宽范围输入电压,适应多种应用场景。
3. 内置完善的保护机制,包括过热保护、过压保护和短路保护,增强了系统的可靠性。
4. 支持高频操作,有助于减小磁性元件体积并优化 PCB 布局。
5. 简化的外围电路设计,降低了整体 BOM 成本。
6. 符合 USB PD 和 QC 协议规范,支持多档位动态功率调整。
NUP1301ML3T1G 广泛应用于以下领域:
1. USB PD 快充适配器
2. 智能手机和平板电脑充电解决方案
3. 笔记本电脑电源适配器
4. 无线充电器中的高效电源模块
5. 可穿戴设备和其他需要高效小型化电源的场景
由于其卓越的效率和紧凑的设计,该芯片非常适合对空间和能耗有严格要求的应用环境。
NUP1301P、NCP1301ML3T1G