NUF8410MNT4G 时间：2025/4/28 15:21:12 阅读：3

NUF8410MNT4G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频和高效率应用设计。该器件采用了先进的 GaN 工艺，具备低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、无线充电以及消费类电子产品的各种应用场景。
　　其封装形式为超小型芯片级封装（CSP），有助于减少寄生电感并提高整体系统性能。

参数

类型：增强型功率晶体管
　　材料：氮化镓 (GaN)
　　最大漏源电压 (Vds)：100 V
　　最大栅极驱动电压 (Vgs)：6 V
　　导通电阻 (Rds(on))：55 mΩ
　　连续漏极电流 (Id)：4 A
　　输出电容 (Coss)：22 pF
　　开关频率范围：高达 10 MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C

特性

NUF8410MNT4G 具备以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗，从而提升整体效率。
　　2. 快速开关速度，支持高达 10 MHz 的工作频率，适合高频应用。
　　3. 小型 CSP 封装，能够有效减少寄生电感和寄生电容，进一步优化高频表现。
　　4. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，提高了系统的可靠性和安全性。
　　5. 高击穿电压和稳定的动态性能，确保在恶劣环境下的稳定运行。
　　6. 与传统硅 MOSFET 相比，提供更高的功率密度和更低的能量损耗。

应用

NUF8410MNT4G 广泛应用于以下领域：
　　1. 消费类电子产品中的高效 DC-DC 转换器。
　　2. 快速充电器和适配器的设计，以实现更小体积和更高效率。
　　3. 无线充电系统，支持更高的能量传输效率。
　　4. 电信和网络设备中的电源模块。
　　5. 电机驱动和 LED 驱动电路。
　　6. 工业自动化和物联网设备中的电源管理系统。
　　7. 其他需要高频和高效率的功率转换场合。