NUD3160LT 时间：2025/12/24 5:44:52 阅读：12

NUD3160LT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能。
　　NUD3160LT 广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景中，适合需要高效能和高可靠性的电路设计。

参数

最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：50mΩ（典型值，@Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：14nC（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：95ns（典型值）
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃

特性

NUD3160LT 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低传导损耗并提高整体效率。
　　2. 快速的开关速度，有助于减少开关损耗，提升高频应用中的表现。
　　3. 高度稳定的动态性能，即使在严苛的工作条件下也能保持可靠的运行。
　　4. 内置的 ESD 保护功能增强了器件的抗静电能力。
　　5. 小巧的封装尺寸使得其非常适合空间受限的设计环境。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。

应用

NUD3160LT 可用于多种电子应用领域：
　　1. 开关电源（SMPS）初级侧或次级侧开关。
　　2. 各类 DC-DC 转换器中的同步整流或降压/升压转换。
　　3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
　　4. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
　　5. 汽车电子系统中的负载切换与控制。
　　6. 工业自动化设备中的功率管理模块。