时间：2025/8/7 13:28:41
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NTUD3169CZ是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和高效的开关性能，适用于高频率开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用场景。NTUD3169CZ采用紧凑的DFN5x6封装，具有良好的热管理和空间利用率，适用于需要高功率密度的设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：8.0A
导通电阻(RDS(on))：22mΩ @ VGS=10V
导通电阻(RDS(on))：30mΩ @ VGS=4.5V
栅极电荷(Qg)：18nC
功率耗散(PD)：4.8W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：DFN5x6
NTUD3169CZ采用先进的Trench MOSFET技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时仅为22mΩ，从而显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极电荷(Qg)为18nC，支持快速开关操作，减少开关损耗，适用于高频开关应用。
此外，NTUD3169CZ的DFN5x6封装具有优异的热性能，能够有效地将热量传导至PCB，提高器件的热稳定性和可靠性。该封装形式也具有较小的占板面积，适合高密度PCB布局设计。
该MOSFET的栅源电压范围为±20V，具有较高的栅极耐压能力，增强了在高压或瞬态电压环境下的稳定性。其连续漏极电流能力为8A，适合中高功率负载的应用需求。
NTUD3169CZ还内置了较低的栅极-漏极电荷（Qgd），有助于减少开关过程中的交叉导通损耗，提高整体能效。同时，该器件具有良好的雪崩能量耐受能力，增强了在异常工况下的耐用性。
NTUD3169CZ广泛应用于多个功率电子领域，包括但不限于以下场景：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、负载开关、LED照明驱动电路、工业自动化设备和消费类电子产品中的功率控制模块。
由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适用于需要高效率和高性能的电源转换系统。例如，在DC-DC降压转换器中，NTUD3169CZ可用作主开关器件，实现高效的能量转换；在电池管理系统中，可作为充放电控制开关，提供可靠的电流路径；在电机驱动电路中，可用于H桥结构实现电机的正反转控制。
此外，DFN5x6封装的小尺寸和优良的散热性能使其成为便携式电子设备、汽车电子系统和工业控制设备中的理想选择。
SiSS16DN, FDS6680, IRF7413, AO4406
