时间：2025/8/2 11:06:08
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NTTFS6H888NLTAG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）设计制造的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用而设计。该器件具有低导通电阻、高功率密度和优异的热性能，适用于如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及各种中高功率电子系统。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：140 A（在 25°C 下）
最大漏-源电压（VDS）：80 V
最大栅-源电压（VGS）：±20 V
导通电阻（RDS(on)）：典型值 2.2 mΩ（在 VGS=10V 时）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：Power 56（表面贴装）
功耗（PD）：200 W
NTTFS6H888NLTAG 的核心特性包括极低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率；同时具备高电流承载能力，使其适用于高功率密度设计。其 Power 56 封装具有优异的热管理能力，可有效散热，确保器件在高负载下稳定运行。此外，该 MOSFET 还具有快速开关特性，减少开关损耗，并适用于高频操作。该器件符合 RoHS 标准，适合环保要求较高的应用场合。
此外，NTTFS6H888NLTAG 集成了逻辑电平栅极驱动功能，可在较低的栅极电压下实现完全导通，简化了驱动电路设计。其稳定性和耐用性也使其在恶劣工作环境下具有良好的可靠性。
该器件广泛应用于服务器和通信电源系统、DC-DC 转换器、负载开关、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机控制模块以及工业自动化设备中的功率开关部分。此外，由于其优异的热性能和高效率，NTTFS6H888NLTAG 也常用于汽车电子系统中的高功率需求模块，如车载充电器和电驱控制系统。
Si7388DP-T1-GE3, NTD8888NFTAG, FDS8888
