时间：2025/4/30 19:22:21
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NTTFS4C25NTAG是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力。它适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、开关电源、电机驱动等场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：25A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：29nC
总电容：1480pF
工作温度范围：-55℃至175℃
该MOSFET具有超低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。
其快速开关特性和较低的栅极电荷使其非常适合高频应用。
封装形式紧凑，适合高密度设计需求。
具备出色的热稳定性，能够在宽广的工作温度范围内保持性能一致性。
由于采用了坚固的设计结构，能够承受较高的浪涌电流，从而提升系统的可靠性。
NTTFS4C25NTAG广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路以及负载切换等场合。
在汽车电子领域中，它可以用于发动机控制单元、电动助力转向系统及车身电子控制系统。
消费类电子产品中，这款MOSFET可用于笔记本电脑适配器、智能手机充电器以及其他便携式设备的电源解决方案。
IRFZ44N
STP30NF10
FDP5500
