时间：2025/8/2 8:37:55
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NTTFS4C10NTAG 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，提供了较低的导通电阻和高可靠性，适用于各种功率开关应用，如电源转换器、电机控制、电池管理系统和负载开关等场景。NTTFS4C10NTAG 采用 8 引脚 DFN 封装，具有良好的热性能和空间利用率，非常适合紧凑型设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：30V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id（@25°C）：4.1A
最大导通电阻 Rds(on)：27mΩ @ Vgs = 10V
导通阈值电压 Vgs(th)：1.5V ~ 2.5V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：DFN-8
功率耗散（Pd）：2.5W
NTTFS4C10NTAG 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 工艺技术，使得在保持高性能的同时还能实现小型化封装，适合高密度 PCB 布局。
此外，NTTFS4C10NTAG 具有优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于各种严苛的工作条件。
其栅极驱动电压范围较宽（可支持 4.5V 至 20V），允许使用标准逻辑电平进行驱动，简化了控制电路的设计。
该器件还具备良好的短路和过热保护能力，在功率应用中表现出较强的鲁棒性。
DFN 封装形式提供了优良的热管理和较小的封装体积，适合表面贴装工艺，增强了产品的可制造性和可靠性。
NTTFS4C10NTAG 广泛应用于多个领域的功率控制和转换系统。
在电源管理领域，该器件可用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电池充电电路中，提供高效的功率开关功能。
在电机控制方面，该 MOSFET 可作为 H 桥或 PWM 控制电路中的开关元件，用于小型电机或执行机构的控制。
另外，它也适用于工业自动化设备、智能电表、便携式电子设备以及汽车电子系统中的功率控制模块。
由于其优异的导通性能和紧凑的封装设计，NTTFS4C10NTAG 在需要高效能与小型化设计的现代电子产品中得到了广泛应用。
Si2302DS, AO4406A, FDS6680, NVTFS5C471NLWFTAG
